Главная -> Словарь

Межатомное расстояние

на поверхности металла . Многочисленными исследованиями показано, что перечисленные выше металлы, имеющие гране-центрированную кубическую или гексагональную решетку с межатомными расстояниями от 0,249 нм до 0,277 нм , действительно являются катализаторами гидрирования — дегидрирования. При плоскостной адсорбции ароматическое кольцо, согласно мультиплет-ной теории, не покидает активный центр, пока не присоединит все шесть атомов водорода. При этом вопрос об образовании гранс-заме-щенных циклогексанов остается открытым.

В работе Паала и Тетени рассмотрена активность ряда металлов в реакциях гидрогенолиза метилциклопентана и 3-метилпентана и Сз-дегидроциклизации последнего. Изученные металлы разделены авторами на две группы: Rh, Pd, Ir и Pt, на которых происходит однократный разрыв молекулы, и Со, Ni, Cu, Ru, Ag, Re и Os, на которых идет фрагментация исходной молекулы на несколько частей. В работе обсуждается также корреляция активности металлов первой группы с геометрией их поверхности .

Донорные свойства непредельной связи и акцепторные свой-ства атакующей положительной частицы способствуют образованию я-комплексов, или комплексов с переносом заряда, что приводит к повышению дипольного момента либо появлению новых полос, определяемых УФ-спектроскопией. я-Комплекс способен распадаться на исходные компоненты, так как энергия связи в нем составляет лишь несколько кДж/моль и характеризуется значительно большими межатомными расстояниями, чем в сг-комплексе. Образование комплексов зависит от наличия в реакционной смеси промоторов типа НС1 и Н2О, поскольку чистые олефины при контакте с безводными металлгалогенидами

Вследствие аддитивности дисперсионных сил энергия взаимодействия между макроскопическими телами убывает с расстоянием значительно медленнее, чем между отдельными молекулами. Так, для плоскопараллельных пластин при расстояниях R 100 нм с учетом запаздывающих сил энергия взаимодействия пропорциональна R-3. При R в несколько десятков нм система переходит в область незапаздывающих сил; при R

В результате исследования вращательной структуры полос могут быть получены данные о симметрии молекулы. Например, простая тонкая структура вращательно-колебательных полос ацетилена свидетельствует о том, что молекула ацетилена является линейной. Кроме того, в простых молекулах по расстояниям между вращательными линиями могут быть определены моменты инерции, а отсюда может быть получено и межатомное расстояние, если в молекуле, например метана, имеется только одно такое расстояние. Когда в молекуле имеются два различных межатомных расстояния, как в ацетилене, для определения межатомных расстояний необходимо исследовать спектр поглощения двух изотспических форм . Это позволяет найти два значения момента инерции, на основании которых могут быть вычислены необходимые расстояния.

Межатомное расстояние

исходит перемещение дислокаций, производящих деформацию и работу. Таким образом, дислокации обладают определенной силой и мощностью. Сила дислокации пропорциональна приложенному напряжению к вектору Бюргерса . Для перемещения единичной дислокации в идеальном кристалле требуется следующее напряжение сдвига тс:

Источниками дислокаций являются; сегрегация примесей; напряжение и дислокационные центры кристаллизации; срастание различно ориентированных зерен и субзерен; межзеренное общение и др. В отоженном металле число дислокаций достигает 105/см2. Пластическая деформация способствует увеличению плотности дислокаций на 5-6 порядков, движению дислокаций и их групп, включая границы зерен. В результате они приобретают сложную форму, увеличивается их длина, общая энергия и сопротивление скольжению. Выход дислокации на поверхность кристалла приводит к сдвигу на одно межатомное расстояние. Следовательно, суммарный сдвиг при начальной плотности дислокаций No = 105/см2 составит: At = 10s- 105- Ю-8 = Ю-3, что соот-

где i и г0 - длина трещин и межатомное расстояние. Следовательно, условие неустойчивости тела с трещиной будет иметь вид ;

Таким образом, анализ неустойчивости трещины в хрупком теле на основе силового и энергетического критерия дает один и тот же результат, поскольку величина у считается постоянной материала при заданных условиях . Приближенно у = 0,01Ег0 . Из уравнения Гриффитса следует, что

4. Изменение микродеформаций коксов в процессе термообработки :ы рядовые с исходным содержанием серы, %: 1 - 3,6; 2 — 0,6 .•тепень изолированности максимумов; т,,т2- межатомное расстояние

pi «= пЪ-е1, где с — заряд электрона; 5 — характерное межатомное расстояние.

Механизм зарождения трещины. Атомный механизм зарождения трещин качественно одинаков при хрупком и вязком разрушении. Считается, что микротрещины в момент зарождения имеют длину ~ 10~" мм . Для зарождения трещины необходимо после разрыва межатомных связей удалить две вновь образовавшиеся поверхности на одно межатомное расстояние а. Тогда теоретическое сопротивление отрыву Sm — напряжение, необходимое для одновременного разрыва связей между атомами на единице площади'-

Очень высокое межатомное расстояние при температурах около 700°С,равное 3,9 А, по-видимому, свидетельствует об окончании процесса мезофазных превращений, недостаточно завершенного в реакторе коксования. Самое большое значение парамагнетизма в начальной стадии прокалки и более плавное его уменьшение свидетельствует о прекращении этого процесса и начале процесса гемолиза диамагнитных молекул с образованием радикалов другого типа. Если учесть,что образование карбиновой и графитовой кристаллических решеток имеет различную энергию, то можно допустить одновременное образование этих двух видов аллотропного углерода. Принципиальная вероятность

Механизм зарождения трещины. Атомный механизм зарождения трещин качественно одинаков при хрупком и вязком разрушении. Считается, что микротрещины в момент зарождения имеют длину — 10"4 мм . Для зарождения трещины необходимо после разрыва межатомных связей удалить две вновь образовавшиеся поверхности на одно межатомное расстояние а. Тогда теоретическое сопротивление отрыву Sm — напряжение, необходимое для одновременного разрыва связей между атомами на единице площади: