Главная -> Словарь

Межплоскостного расстояния

Среднее расстояние между атомами внутри сеток уменьшается, а среднее межплоскостное расстояние возрастает. В результате этого происходит увеличение объема элементарной ячейки решетки, т. е. «распухание» графита, как следствие измельчения кристаллитов. Рентгенограмма облученного графита сходна с рентгенограммой кокса, прокаленного при 1300— 1450°С. В нормальное

Несимметричность ароматической гексагональной сетки, обуславливаемая насыщением или включением гетероатомов, соз дает выпуклости или искривления в пластинах, что препятствует их более плотной и упорядоченной упаковке. Аналогичной причиной может быть наличие концевых алифатических и нафтеновых групп. Однако чем больше ароматические диски, тем большая упорядоченность, и в структурном отношении это выражается приближением к строению графита, у которого межплоскостное расстояние равно 3,34 А.

Модель углеродной сетки графита была приведена на рис. 12 . Расстояние между ближайшими плоскостями 3,358 А, а между симметрично расположенными — в 2 раза больше. При сдвинутом расположении атомов углерода в соседних сетках по отношению друг к другу достигается очень плотная упаковка этих сеток в графите. Даже при воздействии высоких давлений межплоскостное расстояние сокращается лишь на 0,014 А за счет деформации сферической поверхности атомов углерода, что характерно для графита, имеющего малый коэффициент сжатия.

композиции и соответственно на результаты технологических процессов, в которых они участвуют в качестве сырья. Как видно из графика, приведенного на рис. 50, при увеличении количества структурирующей добавки от 0 до 15% по мере повышения однородности происходит процесс упорядочения структуры углеродно-металлической композиции, что выражается в снижении удельного электрического сопротивления; при дальнейшем повышении содержания добавки наблюдается резкое возрастание удельного электрического сопротивления композиции. Следует отметить, что с ростом однородности углеродно-металлической композиции улучшаются ренттеноструктурные характеристики: уменьшается межплоскостное расстояние, растут размеры кристаллов, повышается степень графитации материала и уменьшается доля турбостратного углерода. Вполне естественно все эти изменения сказываются на выходе алмаза и,; углеродно-металлической композиции. На рис. 51 приведет,! результаты выхода алмаза из структурированного сырья, что подтверждает экстремальную зависимость, присущую дисперсным системам.

отношению друг к другу достигается очень плотная упаковка этих сеток в графите. Далее при воздействии высоких давлений межплоскостное расстояние сокращается лишь на 0,014 А за счет деформации сферической поверхности атомов углерода, что характерно для графита, имеющего малый коэффициент сжатия.

При температуре выше 1800°С из ароматических сеток образуются кристаллиты небольших размеров. До температуры 2500°С межплоскостное расстояние уменьшается без укрупнения кристаллитов. Размер кристаллитов начинает заметно увеличиваться при температуре 2500 - 2800°С. Ширина кристаллитов La увеличивается более заметно по сравнению с толщиной Lc.

родного вещества начинает, перестраиваться: базисные плоскости упорядочиваются в азимутальном направлении, межплоскостное расстояние несколько уменьшается . Выше 2100 °С происходит образование трехмерноупорядоченных кристаллитов, сопровождаемое резким ростом их размеров: высоты Lc и диаметра L3 . Рост высоты отвечает процессу Кристаллизации, рост диаметра — распрямлению искривленных двухмерных слоев. Поэтому LB является диаметром ОКР.

Как было отмечено выше, наличие структурных пор обусловлено соотношением параметров элементов НМО и искажением кристаллических областей. Последнее в свою очередь зависит от степени совершенства материала . Поэтому для большей наглядности имеет смысл рассматривать изменение параметра v в зависимости от величины Дс/^ 2 — d0, где с/о = 0,3354 нм — параметр решетки монокристаллического графита, а ^002 — межплоскостное расстояние, измеренное по угловому положению рефлекса .

Температурный коэффициент линейного расширения . Тепловое расширение искусственного полйкристаллического графита обусловлено его структурой. Тепловое расширение искусственного поликристаллического графита обусловлено прежде всего перестройкой структуры кристаллической составляющей при нагревании. Методом рентгеновской дилатометрии было исследовано в интервале—180-г2000 °С расширение вдоль оси с кристаллической решетки для отличающихся степенью совершенства кристаллической структуры материалов: стеклоуглерода , пироуглерода ., плотного графита , высокосовершенного анизотропного графита с 4 % бора , пирографита и природного графита . Для одного из них рассмотрено расширение вдоль слоя. Ниже приведены рентгеноструктурные характеристики: степень графитации , межплоскостное расстояние высота и диаметр ОКР, исследованных материалов :

Выражая степень совершенства решетки через межплоскостное расстояние

Рентгеноструктурными исследованиями установлено существенное скачкообразное снижение межплоскостного расстояния после спонтан-ного удаления серы, что свидетельствует о генетической связи процессов удаления серы и формирования кристаллической структуры кокса. Увеличение межплоскостных расстояний в углеродной матрице в процессе нагрева согласуется с ослаблением прочности межуглеродных и межплоскостных связей с достижением "прочностного порога", после которого углеродная матрица "не может удерживать" гетероэлементы.

В отличие от других методов, показывающих кажущееся уменьшение плотности, рентгенографический метод дает повышенное значение этого показателя. На основе рентгенографического определения межплоскостного расстояния рентгенографическая плотность рассчитывается по формуле:

Различают гомогенную и гетерогенную кристаллизацию углерода в графит . При гетерогенной кристаллизации осаждение углерода происходит из газовой фазы с последующей его гомогенной кристаллизацией. В соответствии с данными , при гетерогенной кристаллизации значения у во всем диапазоне температур больше, чем при гомогенной. При высокотемпературном нагреве углеродистого материала различают два участка изменения межплоскостного расстояния - На первом участке нагрева в предкристаллизационный период при изменении температуры па 1000 °С Дс! составляет всего 0,03 А, периферийные атомы углерода могут соединяться с атомами водорода. Углеродные сетки расположены симметрично одна под другой через одну . Расстояние между ближайшими плоскостями равно 3,358А, а между симметрично расположенными в 2 раза больше. При таком сдвинутом расположении атомов углерода в соседних сетках по

Свойства нефтяншс коксов после термообработки, способность их к графитации определяются во многом характером надмолекулярной организации и параметрами тонкой структуры. При сопоставлении различных коксов тонкую структуру обычно характеризуют величиной межплоскостного расстояния dooi ъ размерами кристаллитов \_ и / a . Однако эти параметры дают мало информации и не позволяет оценивать качество кокса,его эксплуатационную при-

2. На ЭВМ исследуется функция распределения одной из структурных характеристик, например, межплоскостного расстояния d с