Главная -> Словарь

Образование поверхностных

Чем выше полярность среды и чем больше она содержит активированных комплексов и долгоживущих свободных стабильных радикалов, а также чем выше поляризуемость ПАВ, тем легче ПАВ растворяются, образуя в растворе ионизованные и активированные комплексы. Образование последних сказывается на мицелло- и структуро-образовании и в конечном счете на функциональных свойствах топлив и масел.

полимеров перекисей. Образование последних является нормальным и обычным явлением, упоминавшимся рядом исследователей, но подробно-описанным лишь немногими.

В течение длительного времени в области теоретических представлений о строении нефтей и нефтепродуктов господствовал подход, согласно которому они рассматривались как молеку-лярно-дисперсные системы, т. е. растворы, способные в условиях фазовых переходов к формированию макрофаз. Как известно, образование последних является сутью многих технологических процессов переработки нефтяных систем. Недостатком таких представлений явилось игнорирование начальных стадий возникновения и роста зародышей будущей новой фазы, что способствует образованию нефтяных дисперсных систем .

Во-вторых, в то время как этан и пропан в условиях пиролиза, проводимого на практике, дают небольшое количество жидких продуктов, в случае пропилена и бутиленов образование последних весьма значительно. Шатт отмечает, что пиролиз этана или пропана при 760—800° до 50%-ной степени превращения приводит к получению 0,5—1,5% жидких продуктов, тогда как в случае пропилена и бутилена их образуется 20—25%.

Недостатком синтеза на псевдоожиженном катализаторе является невозможность получать высокие выходы высококипящих продуктов, так как образование последних может привести к агломерации частиц и нарушению процесса псевдоожижения. Чтобы избежать образования и конденсации высококипящих продуктов, синтез на псевдоожиженном катализаторе ведут при высокой температуре , что вызывает большую скорость реакции разложения СО и отложение углерода на катализаторе.

как образование последних при крекинге кажется практически не-

Из других продуктов парофазного алкилирования фенола в зависимости от условий получаются м- и л-крезолы, 2,4-ксиленол, три- и в меньшей мере —тетра-. и пентаметилфенолы . Образование последних наблюдается лишь при реакции в избытке метанола.

Сравнивая продукты реакции фенола с триметилбензо-лами, можно отметить различный выход ксилолов. Образование последних характеризует способность псевдокумола и: мезитилена вступать в реакцию с фенолом. При этом, конечно, не исключается их образование за счет реакции диспро-порционирования триметилбензола.

В первом случае СО касается двух центров катализатора, а во втором одного. Медленно протекающий процесс гидрирования приводит к значительному накоплению'групп СНОН на поверхности катализатора наряду с группами ^ СН2. Образование последних в этом случае представляется в следующем виде:

210))), что тример изобутилена состоит из 4-метилен-2,2,6,6-тетра-метилгептана , 2,2,4,6,6-пентаметилгептена-З , 2,4,4, 6,6-пентаметилгептена-1 и 2,4,4,6,6-пентаметилгептена-2 . Образование двух первых соединений включает присоединение ягрет-бутил-иона к 2,4,4-триметилпентену-!. Образование последних двух проходит через присоединение изооктил-иона, изображенного выше, ко второй молекуле изобутилена. Указанные присоединения проходят в соотношении около 9:1.

г) При 685° наряду с водородом образуются и ароматические углеводороды. Образование последних очевидно обусловлено следующими превращениями: оле-фины — циклогексан -— циклогексен — циклогексадиен — бензол.

Сходное понижение каталитической активности при увеличении дисперсности металла на поверхности нанесенного катализатора Ru/SiCb наблюдалось для реакций гидрогенолиза и дегидрирования циклогексана. Резкое понижение каталитической активности рутения в случае реакции гидрогенолиза объясняли особенно большой чувствительностью этой реакции к структуре поверхности катализатора, а также отрицательным влиянием высокой дисперсности металла на образование поверхностных комплексов, ответственных за эту реакцию. Кроме того, высказывается мнение, что очень высокая степень дисперсности металла, осажденного на носителе, может оказаться неблагоприятной для обоих типов реакций, особенно для гидрогенолиза, из-за диффузионного торможения исходными углеводородами , а также продуктами их превращений.

- образование поверхностных сульфатов на А12О3, тормозящих окисление СО;

Процесс разложения адсорбированного КН имеет сложный ступенчатый характер и завершается лишь при 300 °С . В температурном интервале 30—70 °С степень удаления монооксида углерода изменяется от 40 до 75 %. Повышение температуры до 100 °С практически не сопровождается удалением монооксида углерода. Изучение ИК-спектров, снятых по мере разложения адсорбированного КН, показало сложную природу взаимодействия атомов никеля с монооксидом углерода. При температурах разложения 50—170 °С в спектрах наблюдается две полосы поглощения при частотах 1780, 1955 см~4, которые можно отнести к мостиковым карбонильным структурам . Поскольку в температурном интервале разложения 70—100 °С на каждый введенный атом никеля приходится одна молекула монооксида углерода и связь последнего с атомами никеля мастиковая, то можно сделать вывод, что разложение адсорбированного КII на цеолите NaX происходит через образование поверхностных субкарбониль-пых структур. При температуре 300 °С адсорбированный КН полностью разлагается до металла, о чем свидетельствует исчезновение полос поглощения мопооксида углерода в ИК-спектрах. Высокая температура полного разложения адсорбированного на цеолите КН, очевидно, может способствовать агрегации образующих атомов металла.

Таким образом, повышение температуры приводит к постепенному превращению одного типа поверхностных сульфат-сульфитных комплексов в другой. Небольшое смещение частот колебаний может быть объяснено искажением структуры образующихся сульфатов. Следует отметить, что образование поверхностных сульфатных комплексов и органических сульфатов происходит с возмущением обоих типов гидроксильных групп поверхности катализатора .

Общепринято, что окисление углерода кислородом-сложный процесс, протекающий через образование и разрушение кислород-углеродных комплексов с выделением в газовую фазу обоих оксидов углерода . Образование поверхностных комплексов при низких температурах окисления подтверждается непосредственным увеличением массы частицы угля и данными ИК-спектроскопии . На рис. 2.5 представлены результаты , полученные при определении изменения массы частицы каменного угля при взаимодействии с кислородом методом непрерывного взвешивания на кварцевых весах. При 400 °С и концентрации кислорода 1,0% кривая имеет два характерных максимума и минимума. При повышении концентрации до 5,0% О2 наблюдается непрерывное и значительное уменьшение массы . При более вы-

Различная степень неоднородности углерода и разное соотношение в нем пор обусловливают при контакте его с активными газами неодинаковую склонность к физической или химической адсорбции газов на поверхности углерода , десорбирование которых приводит к повышению энергии поверхности углерода.

3) образование поверхностных химических соединений. Действие ингибиторов основано на образовании за счет

Таким образом, повышение температуры приводит к постепенному превращению одного типа поверхностных сульфат-сульфитных комплексов в другой. Небольшое смещение частот колебаний может быть объяснено искажением структуры образующихся сульфатов. Следует отметить, что образование поверхностных сульфатных комплексов и органических сульфатов происходит с возмущением обоих типов гидроксильных групп поверхности катализатора .

Различная степень неоднородности углерода и разное соотношение в нем пор обусловливают при контакте его с активными газами неодинаковую склонность к физической или химической адсорбции газов на поверхности углерода , десорбирование которых приводит к повышению энергии поверхности углерода.

Различная степень неоднородности углерода и разное соотношение в нем пор обусловливают при контакте его с активными газами неодинаковую склонность к физической или химической адсорбции газов на поверхности углерода , десорбирование которых приводит к повышению энергии поверхности углерода.

Поверхность алмаза, как и любого другого твердого вещества, можно рассматривать как один из основных дефектов трехмерной структуры кристалла. Обрыв структуры остова алмаза, приводящий к изменению координационной сферы поверхностных атомов углерода, а также высокая энтальпия образования идеальной поверхности способствуют самопроизвольному протеканию процессов, снижающих энергию системы. Одним из таких процессов может быть образование поверхностных функциональных групп.