Главная -> Словарь

Параллельных плоскостях

Допускаемые расхождения между максимальным и минимальным значением испаряемости при параллельных определениях не должны превышать величин, указанных в таблице.

при параллельных определениях

при параллельных определениях

V. ДОПУСКАЕМЫЕ РАСХОЖДЕНИЯ ПРИ ПАРАЛЛЕЛЬНЫХ ОПРЕДЕЛЕНИЯХ

Допускаемые расхождения при параллельных определениях октанового числа по моторному и исследовательскому методам одного и того же образца бензина на одной установке составляют + 0,5 октановой единицы, а при определении на разных установках ± 1,0 октановой единицы от среднего арифметического значения сравниваемых результатов.

Расхождения при параллельных определениях не должны превышать + 2,7 мин.

Допускаемые расхождения при параллельных определениях сортности на богатой смеси на одной установке не более +1 для авиационных бензинов и их компонентов с сортностью до 145 и не более + 2 единицы с сортностью более 145 от среднего арифметического сравниваемых результатов. При определении на разных установках допускаемые расхождения результатов соответственно составляют +2 и ±3 единицы сортности.

Расхождение при параллельных определениях моющих свойств одного и того же бензина на одной установке не должно превышать ±2,7 мин при доверительной вероятности 0,95.

Расхождение результатов при параллельных определениях не должно превышать 10% от среднего значения. Стендовые испытания бензинов показали, что имеется корреляция между результатами оценки эффективности присадок по описанному выше методу и результатами, полученными на полноразмерных двигателях.

Как вывод из этой таблицы, можно скавать, что результаты определения индукционных периодов в обоих приборах практически одинаковы. Разница между ними не превосходит ошибки опыта при параллельных определениях в одном и том же приборе.

Необходимы по крайней мере два определения для установления точной температуры затвердевания чистого растворителя, причем второе определение проводится с тем же самым бензолом, но только предварительно расплавленным и нагретым. Расхождение в параллельных определениях не должно превышать 0,02°.

Плотность дислокаций на стадии легкого скольжения растет пропорционально степени деформации. Деформационное упрочнение обусловлено взаимодействием пара-лельных или лежащих в параллельных плоскостях сдвига

торможения дислокаций. Перемещение последних происходит не беспрепятственно, а с преодолением различных потенциальных барьеров. Повышение уровня напряжений, необходимых для преодоления барьеров при пластическом деформировании, связывают с явлением деформационного упрочнения. Наряду с повышением сопротивления деформированию отмечаются факторы, снижающие напряжение текучести, связанные с понижением числа и высоты барьеров. Это явление называют возвратом. Возврат, идущий при холодной деформации, называется динамическим. В зависимости от степени пластической деформации в металле образуются различные дислокационные структуры, и в связи с этим на кривых упрочнения а = f выделяют характерные стадии деформационного упрочнения: 1- стадия легкого скольжения; 2 - быстрого деформационного упрочнения; 3 - динамического возврата. Естественно, такое разделение условно, поскольку на каждой стадии деформирования реализуются факторы, упрочняющие и разупрочняющие металл. В зависимости от того, какие факторы проявляются интенсивнее, и производят деление на отдельные стадии деформации металла. На стадии легкого скольжения упрочнение носит линейный характер do/de = const = Е'. Однако модуль упрочнения Е' настолько мал , что можно полагать металл на стадии легкого скольжения неупрочняемым. На диаграмме растяжения эта стадия соответствует так называемой площадке текучести. Основной вклад в деформацию вносят дислокации, прошедшие через весь кристалл и вышедшие на поверхность. При этом длина свободного пробега дислокации постоянна и достигает значительных величин . Плотность дислокаций на стадии легкого скольжения растет пропорционально степени деформации. Деформационное упрочнение обусловлено взаимодействием параллельных или лежащих в параллельных плоскостях сдвига дислокаций. При этом глав-

Наряду со слоистой моделью выработаны гипотетические ква-зипланарные модели , основанные на предположении о том, что структурные фрагменты макромолекул расположены не во взаимно параллельных плоскостях, а в общем для них одном слое . На основе результатов термической деструкции и спектральных анализов авторы работы предложили иную копланарную модель , отличающуюся чрезвычайно высокой степенью конденсированности и ароматичности и включающую до 20 бензольных колец, сконденсированных в одну полициклоароматическую систему.

Силы дисперсионного взаимодействия, по всей видимости,— наиболее общий вид взаимодействия между компонентами битума. Поскольку эти силы зависят от расстояния между центрами частиц, постольку взаимодействие будет максимальным между теми частицами или молекулами, которые способны к наибольшему взаимному сближению. Механизм такого взаимодействия обусловлен стремлением молекул ориентироваться таким образом, чтобы во взаимный контакт с другими молекулами вступало наибольшее число атомов. Поэтому вполне естественно, что для алифатических цепей это выражается в их взаимном параллельном расположении, а для ароматических колец — расположением в параллельных плоскостях. Основными носителями дисперсионного взаимодействия в битумах являются атомы водорода и углерода, тем не менее, наличие полярных атомов азота, серы и кислорода приводит, как правило, к образованию более прочных связей.

Дисперсионное взаимодействие является наиболее общим видом взаимодействия между компонентами, входящими в состав битума. Сила его зависит от расстояния между центрами взаимодействующих частиц. Поэтому взаимодействие будет наибольшим между теми частицами, которые способны к наибольшему взаимному сближению. Подобный характер взаимодействия вызывает стремление молекул ориентироваться таким образом, чтобы во взаимный контакт с другими молекулами вступало наибольшее число атомов. Это выражается в стремлении углеводородных цепей взаимодействующих соседних молекул располагаться параллельно, а ароматических колец — в параллельных плоскостях.

Электродная система представляет собой набор металлических прутков диаметром 2,5 мм при расстоянии между ними 20 см. Прутки собираются в виде двух плоских рам, расположенных в двух параллельных плоскостях с расстоянием между плоскостями 15-^-20 см.

располагаясь при этом на более близком расстоянии друг от друга, т. е. концентрируются вблизи вершины надреза, трещины и т. п. . Плотность силовых линий вблизи вершины дефекта зависит от его формы. Вблизи вершины длинной острой трещины плотность силовых линий особенно велика. Таким образом, в зоне, непосредственно прилегающей к вершине трещины, величина силы, приходящейся на единицу площади, больше и, следовательно, выше локальное напряжение. Для идеально упругого твердого тела легко можно рассчитать возрастание напряжений вблизи вершины эллиптического отверстия. Аналогичные расчеты могут быть выполнены с достаточной степенью точности и для твердых тел, содержащих отверстия другой формы. Наиболее часто трещины возникают у вершин скоплений дислокаций вблизи каких-либо барьеров: включений избыточных фаз, границ зерен, двойников, сидячих дислокации и т. д. В непосредственной близости от барьера краевые дислокации в плоском скоплении могут под действием напряжений оказаться настолько тесно прижатыми друг к другу, что их экстраплоскости сливаются, а под ними образуется зародышевая микротрешина. Эта схема прямо предполагает необходимость некоторой пластической деформации, достаточной для образования дислокационных скоплений. Трещина образуется в плоскости, перпендикулярной плоскости скольжения дислокации, под действием растягивающих напряжении, в результате концентрации касательных напряжений в головной части скопления. Расчеты показывают, что при действии такой модели трещина возникает при величине локальных касательных напряжений у вершины скопления 10"' G. Этому соответствует образование скопления из 102 — 103 дислокации. Параметр G введен Ирвином, физический смысл этого параметра состоит в том, что он характеризует работу, которую надо затратить на образование новой поверхности трещины единичной длины или переместить фронт трещины единичной длины на единичное расстояние. Другая разновидность зарождения трещин у барьеров при возникновении скоплений дислокации в параллельных плоскостях скольжения показана на рисунке 2.1.2, б.

Асфальтены обладают значительной сорбционной способностью не только к ароматическим углеводородам, но и к гетероциклическим соединениям^))). Это можно объяснить тем, что наблюдается строение молекул ориентироваться таким образом, чтобы во взаимный контакт с другими молекулами вступало наибольшее число атомов, поэтому взаимодействующие ароматические молекулы ориентируются в параллельных плоскостях.

располагаясь при этом на более близком расстоянии друг от друга, т. е. концентрируются вблизи вершины надреза, трещины и т. п. . Плотность силовых линий вблизи вершины дефекта зависит от его формы. Вблизи вершины длинной острой трещины плотность силовых линий особенно велика. Таким образом, в зоне, непосредственно прилегающей к вершине трещины, величина силы, приходящейся на единицу площади, больше и, следовательно, выше локальное напряжение. Для идеально упругого твердого тела легко можно рассчитать возрастание напряжений вблизи вершины эллиптического отверстия. Аналогичные расчеты могут быть выполнены с достаточной степенью точности и для твердых тел, содержащих отверстия другой формы. Наиболее часто трещины возникают у вершин скоплений дислокаций вблизи каких-либо барьеров: включений избыточных фаз, границ зерен, двойников, сидячих дислокации и т. д. В непосредственной близости от барьера краевые дислокации в плоском скоплении могут под действием напряжений оказаться настолько тесно прижатыми друг к другу, что их экстраплоскости сливаются, а под ними образуется зародышевая микротрещина. Эта схема прямо предполагает необходимость некоторой пластической деформации, достаточной для образования дислокационных скоплений. Трещина образуется в плоскости, перпендикулярной плоскости скольжения дислокации, под действием растягивающих напряжении, в результате концентрации касательных напряжений в головной части скопления. Расчеты показывают, что при действии такой модели трещина возникает при величине локальных касательных напряжений у вершины скопления 10"1 G. Этому соответствует образование скопления из 102 — 103 дислокации. Параметр G введен Ирвином, физический смысл этого параметра состоит в том, что он характеризует работу, которую надо затратить на образование новой поверхности трещины единичной длины или переместить фронт трещины единичной длины на единичное расстояние. Другая разновидность зарождения трещин у барьеров при возникновении скоплений дислокации в параллельных плоскостях скольжения показана на рисунке 2.1.2, б.

Если возникают две области максимального перекрывания, расположенные симметрично относительно линии, соединяющей ядра, то такая связь называется л-связью. В этом случае образуется л-МО. s-Орбитали никогда не принимают участия в обрат, зовании л-МО, а соответственно и л-связи. В соединениях переходных металлов возможно образование третьего; типа химической связи - 5-связи, когда происходит перекрывание двух d-орбиталей металла, лежащих в параллельных плоскостях. Из двух АО всегда возникают две МО, т. е. при образовании а-, л- и 5-орбиталей всегда получается такое же число разрыхляющих орбиталей, которые обозначаются а*, л*, 5* .

Особый случай возникает , когда сырьем при термолизе служат высокоароматизированные вторичные остатки, аофальтены которых характеризуются голоядерностью. Здесь, в отсутствии водородных связей реализуется принцип, по которому ароматические структуры стремятся ориентироваться таким образом, чтобы во взаимный контакт с другими молекулами вступало наибольшее число атомов . Поэтому взаимодействующие ароматические фрагмента ориентируются в параллельных плоскостях. Увеличение ядра происходит по оси "с" и образуются линейные полимеры асфаяьтенов . Карбены, очевидно, должны бить отнесет»- к так называемым полимерным жидких кристаллам, которые в последнее время обнаружены • интенсивно исследуются . Интерес представляет система, в которой все вещество прастотес-