Главная -> Словарь

Структура поверхности

Таблица 9 Структура потребления природного газа в США

Структура потребления первичных энергоресурсов в мире в 1989 г.

Природный и нефтяной газ — это не только топливо и сырье для производства этана, пропана и других гомологов метана. При очистке и переработке газа получают большие количества дешевой серы, гелия и других неорганических продуктов, необходимых для развития ряда отраслей народного хозяйства. Канада благодаря наличию крупных мощностей по переработке сероводородсодер-жащих природных газов занимает среди капиталистических стран второе место по производству серы . По производству гелия— одного из важнейших и перспективных продуктов — первое место занимают США . Структура потребления гелия характеризуется следующими данными : ракетно-космическая техника — 19; контролируемые атмосферы — 12; искусственные дыхательные смеси — 6; исследования — 15; сварка в атмосфере инертного газа — 18; криогенная техника — 6; теплопередача — 7; хроматография — 4; другие области — 13. В перспективе гелий предполагают широко использовать в атомной энергетике, криогенной электротехнике и других областях .

Таблица 8 Структура потребления метанола в СССР и США

Таблица 12 Структура потребления синтетического этилового спирта в США

Ниже приводится структура потребления технического этанола :

Структура потребления изопропанола в Советском Союзе показана в табл. 15.

Структура потребления изопропилового спирта в народной хозяйстве СССР

Таблица 20 Структура потребления к-бутилового и изобутилового спиртов

Структура потребления н- и изобутилов.ого спирта в настоящее время и к концу семилетки представлена в табл. 20. Приведенные цифры получены при условии максимальной замены к-бутилового спирта изобутиловым в тех отраслях, где такая замена не приводит к ухудшению качества продукции или к технологическим затруднениям.

Ниже приводится структура потребления ме"тилэтилкетона в США на 1961 г. :

Структура поверхности полированных металлических деталей схематически показана на рис. 4.1. Сверху расположен оксидный слой 1. Следует подчеркнуть, что на твердой поверхности после ее более или менее длительного контакта с воздухом , как правило, образуются оксидные пленки толщиной от 0,01 мкм до нескольких миллиметров. Они имеют различную прочность и адгезию к поверхности металла и в ряде случаев хорошо защищают ее от коррозии.

Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества — зародышей кристаллов. Они способны расти, причем рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. На микрофотографиях при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов парафиновых углеводородов. Механизм роста кристаллов индивидуальных парафинов нормального строения и их смесей объясняет дислокационная теория \.

/Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества -— зародышей кристаллов. Они способны расти, причем рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей^На микрофотографиях при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов парафиновых углеводородов. Механизм роста кристаллов индивидуальных парафинов нормального строения и их смесей объясняет дислокационная теория .

2.1.3. Структура поверхности гидроксида и оксида алюминия

2.1.3. Структура поверхности гидроксида и оксида алюминия..... 70

3) структура .

а — увеличение объема на 24% при дозе излучения ;5.10? P; б — увеличение объема на 12% при дозе излучения ;Ы09_Р; в — кавернозная структура поверхности излома облученного образца.

Рассмотрим более подробно механизм разрушения битумных эмульсий в условиях применения, т.е. при контакте с поверхностью. Главной целью эмульгирования битума является его перевод в жидко - текучее состояние при температуре окружающей среды . Эмульсия должна быть стабильной при хранении и транспортировке, но при нанесении на минеральный заполнитель или поверхность дорожного покрытия она должна разрушаться с установленной технологией данного вида работ скоростью27 . Скорость разрушения в основном регулируется типом и дозировкой эмульгатора в процессе производства эмульсии. Однако на скорость разрушения оказывают влияние и такие факторы, как тип и структура поверхности заполнителя, температура и прочие климатические условия, а также содержание битума в эмульсии, тип и концентрация стабилизатора, тип агента контролируемого распада и т.п.

Структура поверхности, катализаторов дегидратации мало изучена, поэтому по механизму реакции трудно сделать глубокие выводы. Несостоятельность приведенных выше концепций очевидна, так как с их помощью нельзя, например, объяснить, почему окись, тория катализирует дегидратацию этилового спирта в этилен, но мало активна, для дегидратации его в эфир , или почему почти на всех катализаторах дегидратации происходит превраще-

В этой главе обсуждаются также те немногие факты, которые известны о структуре катализаторов, участвующих в окислении. На этой основе можно представить себе, как электронная, структура поверхности и реагирующих веществ влияет на процесс окисления. Например, предполагается, что в случае о-ксилола происходит перенос электрона от углеводорода к твердой поверхности и одновременно перенос электрона от катализатора к адсорбированному кислороду. Это дает возможность предположить, что для того чтобы определить влияние химической структуры на каталитическое окисление, следует сравнить поведение ряда углеводородов на каталитической поверхности в отношении температуры начала окисления. Это могло бы пролить некоторый свет на вопрос, как электронная структура углеводорода влияет на реакцию каталитического окисления.

Процесс кристаллизации начинается с выделения из пересыщенного раствора мельчайших частиц кристаллизующегося вещества-зародышей кристаллов, которые способны расти. Рост кристаллов происходит наиболее легко на острых углах первоначальных зародышей. Эти зародыши и образующиеся затем кристаллы содержат определенные дислокации на поверхности роста, что приводит к наличию винтовой дислокации, в результате которой при большом увеличении наблюдается спиральная структура поверхности кристаллов. Дислокационная теория, основные положения которой изложены в работе , объясняет механизм роста кристаллов индивидуальных н-алканов и их смесей.